Кооперативные явления в технологии наноструктур на основе InGaN с квантовыми точками InAs и их вклад в формирование электрических и оптических свойств Руководитель(и): Шмидт,НМ, лаб. квантоворазмерных гетероструктур 2006–2006Тип: исследовательскийПрограмма: Квантовые наноструктуры
63
Металлические квантовые точки в полупроводниках III-V Руководитель(и): Чалдышев,ВВ, лаб. физики аморфных полупроводников 2006–2006Тип: исследовательскийПрограмма: Квантовые наноструктуры
64
Влияние оптических фононов на процессы самоорганизации в квантовых наноструктурах Руководитель(и): Маслов,АЮ, лаб. неравновесных процессов в полупроводниках 2006–2006Тип: исследовательскийПрограмма: Квантовые наноструктуры
65
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии сильно рассогласованных по параметру решетки твердых растворов А3В5 на подложках А3В5 и Si с модифицированным нанорельефом поверхности Руководитель(и): Евтихиев,ВП, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей 2006–2006Тип: исследовательскийПрограмма: Квантовые наноструктуры
66
Рельефные поверхности на основе пористого Si с повышенной концентрацией нанокластеров металлов групп Pd и Fe Руководитель(и): Терещенко,ГФ, лаб. новых неорганических материалов 2006–2006Тип: исследовательскийПрограмма: Квантовые наноструктуры